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方案描述
方案拓扑
方案产品

方案描述

PD快充具有高效率，低损耗，体积小等特点，同时能兼容各种不同的充电协议，为高频化充电器的发展提供有效支撑。
安森德半导体推出的高压平面MOS，超结MOS,中低压MOS系列产品均能满足需求。

方案拓扑

方案产品

产品型号	产品类别	耐压值	产品封装
ASDM20N16AE	N	20	PDFN3*3-8
ASDM20N20KQ	N	20	TO-252
ASDM20N40E	N	20	PDFN3*3-8
ASDM20N60AKQ	N	20	TO-252
ASDM20N90Q	N	20	PDFN5*6-8
ASDM4406S	N	30	SOP-8
ASDM4406AS	N	30	SOP-8
ASDM30N30E	N	30	PDFN3*3-8
ASDM30N35E	N	30	PDFN3*3-8
ASDM30N35AE	N	30	PDFN3*3-8
ASDM30N40AE	N	30	PDFN3*3-8
ASDM30N40E	N	30	PDFN3*3-8
ASDM30N50KQ	N	30	TO-252
ASDM30N50AKQ	N	30	TO-252
ASDM30N50Q	N	30	PDFN5*6-8
ASDM30N55E	N	30	PDFN3*3-8
ASDM30N65E	N	30	PDFN3*3-8
ASDM30N80Q	N	30	PDFN5*6-8
ASDM30N90KQ	N	30	TO-252
ASDM30N90Q	N	30	PDFN5*6-8
ASDM30N120KQ	N	30	TO-252
ASDM30N120Q	N	30	PDFN5*6-8
ASDM30N150Q	N	30	PDFN5*6-8
ASDM30N150KQ	N	30	TO-252
ASDM40N15S	N	40	SOP-8
ASDM40N40E	N	40	PDFN3*3-8
ASDM40N52E	N	40	PDFN3*3-8
ASDM40N60KQ	N	40	TO-252
ASDM40N80KQ	N	40	TO-252
ASDM40N80Q	N	40	PDFN5*6-8
ASDM40N100Q	N	40	PDFN5*6-8
ASDM40N100KQ	N	40	TO-252
ASDM40N190HQ	N	40	PDFN5*6-8
ASDM60N30KQ	N	60	TO-252
ASDM60N45KQ	N	60	TO-252
ASDM60N50KQ	N	60	TO-252
ASDM60N80KQ	N	60	TO-252
ASDM65N18S	N	65	SOP-8
ASDM68N80KQ	N	68	TO-252
ASDM80N80KQ	N	80	TO-252
ASDM85N60Q	N	85	PDFN5*6-8

0755-86970486

www.asdsemi.cn

深圳市南山区桃源街道学苑大道1001号南山智园A3栋5楼

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