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产品概述
产品选型

SJ MOS

产品性能：耐压600-650V，内阻21-900mΩ
优势特点：多层外延工艺，具有内阻低，损耗小，Qg小，IDM&EAS能力优越等特点。
应用领域：直流充电桩/大功率电源/通信电源/服务器电源/逆变器/快充/适配器/消费家电等。

产品选型

Part No.	Channel	VDS (V)	VGS (V)	Vth (V)	RDS(ON) (mΩ)Typ	RDS(ON) (mΩ)Max	ID (A) Tc=25℃	EAS (mJ)	Ciss (pF)	Qg (nC)	Package	特性
ASJ037N65L2HF ASJ028N60L2HF ASDM65S850NKQ ASDM65S900NKQ ASJ360N65K1HE ASJ360N65F1HE ASJ360N65G1HE ASJ360N65K5HE ASDM65S300NF ASDM65S260NF ASDM65S260NKQ ASDM65S180NF ASDM65S180NTE ASDM65S130NF ASDM65S099NX ASDM65S070NX	N	600 650	±20 ±30	2-4 2.5-4.5 3-4 3-5	22 31 63 91 95 140 147 214 250 341 850	28 37 70 99 130 180 260 300 360 900	4 11 15 16 20 21 25 40 53 83 91	54 67 68 270 300 480 497 702 750 1000 1135 1200	312 780 1086 1299 1517 1746 2939 3910 4440 6319 8950	7.6 8 19 25 33 34 49 70 132 166 N	DFN8*8 TO-220F TO-247 TO-252 TO-263	快恢复非快恢复

Part No.	Channel	VDS (V)	VGS (V)	Vth (V)	RDS(ON) (mΩ)Typ	RDS(ON) (mΩ)Max	ID (A) Tc=25℃	EAS (mJ)	Ciss (pF)	Qg (nC)	Package	特性
ASJ037N65L2HF	N	650	±20	2.5-4.5	31	37	83	1200	6319	166	TO-247	快恢复
ASJ028N60L2HF	N	600	±30	3-5	22	28	91	702	8950	N	TO-247	快恢复
ASDM65S850NKQ	N	650	±30	2-4	850	900	4	67	312	7.6	TO-252
ASDM65S900NKQ	N	650	±30	2-4	850	900	4	68	312	8	TO-252
ASJ360N65K1HE	N	650	±30	2-4	341	360	11	300	780	19	TO-252
ASJ360N65F1HE	N	650	±30							N
ASJ360N65G1HE	N	650	±30	2-4	341	360	11	300	780	19	TO-263
ASJ360N65K5HE	N	650	±30	2-4
ASDM65S300NF	N	650	±30	2-4	250	300	15	54	1086	19	TO-220F
ASDM65S260NF	N	650	±30	2-4	214	260	16	270	1299	25	TO-220F
ASDM65S260NKQ	N	650	±30	2-4	214	260	16	270	1299	25	TO-252
ASDM65S180NF	N	650	±30	2-4	147	180	20	480	1746	34	TO-220F
ASDM65S180NTE	N	650	±30	3-4	140	180	21	497	1517	33	DFN8*8
ASDM65S130NF	N	650	±30	2-4	95	130	25	750	2939	49	TO-220F
ASDM65S099NX	N	650	±20	2-4	91	99	40	1000	3910	70	TO-247	快恢复
ASDM65S070NX	N	650	±30	2-4	63	70	53	1135	4440	132	TO-247	非快恢复

0755-86970486

www.asdsemi.cn

深圳市南山区桃源街道学苑大道1001号南山智园A3栋5楼

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