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GaN MOS

产品性能:耐压650V,内阻低至100mΩ
优势特点:高频高效,高耐压,耐高温,高可靠性;可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度。
应用领域:氮化镓锂电池充电器/PD快充/大功率适配器

产品选型

Part No.ChannelVDS (V)VGS (V)VGS(th) (V)RDS(ON) (mΩ)10VRDS(ON) (mΩ)8VRDS(ON) (mΩ)6VID (A) Tc=25℃EAS (mJ)Ciss (pF)Qg (nC)Package
Part No.PDFChannelVDS (V)VGS (V)VGS(th) (V)RDS(ON) (mΩ)10VRDS(ON) (mΩ)8VRDS(ON) (mΩ)6VID (A) Tc=25℃EAS (mJ)Ciss (pF)Qg (nC)Package
ASDM9GN65TEN650±202.0230950021.5DFN8*8
ASDM10GN65PN650-10~71.016036010712TO-220
ASDM11GN65TEN650±202.02701149012DFN8*8
ASDM13GN65PN650±202.02701349012TO-220
ASDM15GN65PN650-10~71.0100210151153TO-220
ASDM15GN65TEN650-10~71.0100210151233DFN8*8
ASDM18GN65TEN650±204.01001860638DFN8*8
ASDM23GN65PN650±202.01502350012TO-220
ASDM23GN90PN900±204.51752360638TO-220

0755-86970486

www.asdsemi.cn

深圳市南山区桃源街道学苑大道1001号南山智园A3栋5楼

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