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仅用万用表测试出MOS管的栅极（G） 漏极（D） 源极（S）以及管子好坏
2022-12-27仅用万用表测试出MOS管的栅极（G）漏极（D）源极（S）以及管子好坏以安森德厂家ASDM60N50KQ为例：1.测量前，先放电,三只脚短在一起放一下电。2.万用表打在二极管档进行测量。3.找栅极：与其它二只脚不通无穷大的为栅极。4.确认漏源极：二只脚正反接通,红表对黑表笔导通为源极,不导通为漏极。5.再将三只脚短一起放一下电．黑表笔接S，红...
MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？
2022-12-27一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了?MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极...
如何降低MOSFET损耗并提升EMI
2022-12-27MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源及各应用电路中。了解MOSFET的损耗组成并对其进行分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率，但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。一、开关管M...
安森德半导体原厂亮相慕尼黑华南电子展
2021-05-06安森德半导体原厂亮相慕尼黑华南电子展
西安安森德半导体圆满参与第九届中国电子信息博览会
2021-04-19西安安森德半导体圆满参与第九届中国电子信息博览会
安森德及29家快充芯片原厂齐聚2021（春季）USB PD＆Type-C亚洲展
2021-04-11安森德及29家快充芯片原厂齐聚2021（春季）USBPD＆Type-C亚洲展
西安安森德半导体亮相第九届中国电子信息博览会
2021-04-09
安森德充电头网亚洲展邀请函
2021-03-15
充电头网刊登文章---安森德半导体专注于中低压MOS研发设计
2021-03-15https://mp.weixin.qq.com/s/7AaOG4Sby2dKHkoTgEGrew
安森德价格调整通知函20201224
2020-12-24
