新闻资讯NEWS
联系我们CONTACT US
深圳总部:深圳市南山区桃源街道学苑大道1001号南山智园A3栋5楼
联系我们:0755-86970486
仅用万用表测试出MOS管的栅极(G) 漏极(D) 源极(S)以及管子好坏
2022-12-27仅用万用表测试出MOS管的栅极(G)漏极(D)源极(S)以及管子好坏以安森德厂家ASDM60N50KQ为例:1.测量前,先放电,三只脚短在一起放一下电。2.万用表打在二极管档进行测量。3.找栅极:与其它二只脚不通无穷大的为栅极。4.确认漏源极:二只脚正反接通,红表对黑表笔导通为源极,不导通为漏极。5.再将三只脚短一起放一下电.黑表笔接S,红...
MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?
2022-12-27一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极...
如何降低MOSFET损耗并提升EMI
2022-12-27MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源及各应用电路中。了解MOSFET的损耗组成并对其进行分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率,但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗,反而会引起更严重的EMI问题,导致整个系统不能稳定工作。所以在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。一、开关管M...
安森德半导体原厂亮相慕尼黑华南电子展
2021-05-06安森德半导体原厂亮相慕尼黑华南电子展
西安安森德半导体圆满参与第九届中国电子信息博览会
2021-04-19西安安森德半导体圆满参与第九届中国电子信息博览会
安森德及29家快充芯片原厂齐聚2021(春季)USB PD&Type-C亚洲展
2021-04-11安森德及29家快充芯片原厂齐聚2021(春季)USBPD&Type-C亚洲展
西安安森德半导体亮相第九届中国电子信息博览会
2021-04-09安森德充电头网亚洲展邀请函
2021-03-15充电头网刊登文章---安森德半导体专注于中低压MOS研发设计
2021-03-15https://mp.weixin.qq.com/s/7AaOG4Sby2dKHkoTgEGrew
安森德价格调整通知函20201224
2020-12-24