TIME2023.08.10
作者:安森德ASDsemi
来源:安森德半导体
TIME2023.08.10
作者:安森德ASDsemi
来源:安森德半导体
随着科技的不断进步,人工智能、5G通信技术、新能源等日益兴起,而新技术在不同的应用场景下也面临着不同的考验,随之配套的大功率电源正是其中之一。大功率电源正面临着体积、重量、工作效率、抗干扰性能、电池兼容、待机能耗以及安全性等诸多方面的挑战。
超结MOSFET具有低导通损耗、低开关损耗、高开关速度等优点,在大功率电源中发挥着重要作用。随着半导体工艺的不断发展,超结MOSFET的导通损耗和开关损耗将进一步降低,为各种大功率电源设备带来更高的效率和更低的能源消耗。
安森德针对大功率电源等应用,自主研发先进多层外延高压超结MOS,具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好等特点。安森德高压超结MOS在导通电阻方面有显著的降低,有效提高开关电源性能,可满足客户的高效率高可靠性需求。截至目前,安森德自研SJ MOS在性能和稳定性方面相比市面的同类产品有着更出色的表现,已获得多家客户认可,并与新能源领域头部客户达成合作意向,在产品大规模量产前作小批量试产工作。
01
安森德SJ MOSFET优势
效率高
较高的轻载、满载效率,超低的导通内阻、Qg,有效的降低导通、开关损耗。
低温升
较低的功耗,有效的降低电源整体的工作温度,延长电源的使用寿命。
稳定性强
强大的 EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证,芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品,其高温稳定性大大提高。
内阻低
超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。
体积小
在同等电压和电流要求下,超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小,可以封装更小尺寸的产品。
02
应用拓扑图
03
行业市场应用
超结MOSFET在大功率电源中的应用非常广泛,如太阳能逆变器、电动汽车驱动电源、工业电源等。在太阳能逆变器中,超结MOSFET的应用可显著提高系统的效率和可靠性;在电动汽车驱动电源中,超结MOSFET的高开关速度和低开关损耗为车辆的加速和行驶提供了稳定而高效的电源支持;在工业电源中,超结MOSFET的低导通损耗和低开关损耗为各种工业设备提供了稳定而高效的电源。
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安森德ASDsemi产品选型推荐