安森德超结（SJ）MOS在PD快充上的应用

移动互联网时代，为了满足人们对小巧便携简单，快速充电的需求，缓解充电的烦恼，催生了快速充电器的发展和普及。手机快充技术迅速发展，能效高，功率密度大，以PD快充为代表的充电器迅速发展，且市场空间巨大。功率器件MOSFET，作为PD快充、适配器等智能终端配套产品核心元器件之一，同样也迎来了发展契机。

快充技术的发展，充电器功率也将不断提升，对其内部的元器件性能要求提出了新的挑战。

 

为满足充电器、适配器等需求，安森德ASDsemi推出了一系列可靠、高效的高中低压MOSFET。涵盖20V-700V电压全系列产品，各种工艺Trench, SGT, 超结等，RDS(ON)小，Qg小，产品种类齐全，满足客户各种选型需求的同时，产品在提高温升效率、改善EMI特性、抗雷击浪涌能力方面有良好的表现。

 

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安森德多层外延SJ MOS优势

 

效率高

 

较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、Qg，有效的降低导通、开关损耗。

 

低温升

 

较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。

 

稳定性强

 

强大的 EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。

 

内阻低

 

超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。

 

体积小

 

在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。

 

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应用拓扑图

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安森德多层外延SJ MOS应用

 

超结（SJ）MOSFET被广泛应用于电子设备，且应用范围正在不断扩大，成为电子设备不可或缺的重要元器件，其主要应用于PD快充、充电桩、新能源汽车等领域。

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安森德ASDsemi产品选型推荐